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纳米级芯片技术研究取得重大进展
2005-07-15 15:57:10
自芯片发明后的40多年中，微电子发展一直坚持不断微型化的技术路线，即遵循摩尔定律。在硅技术领域，以不断缩小芯片特征尺寸及不断扩大硅圆片尺寸的两大需求，推动芯片技术和产业的迅速发展。国际上用芯片中器件的特征尺寸来划分技术代，约每三年前进一代。当今国际上大量生产中主要采用的是0.15微米技术，实验室的研究水平则更为超前。典型的标志性研究进展：
2000年Intel和AMD分别研制成功栅长为30nm 和40 nm CMOS器件，2001-2002年AMD和Intel先后又研制出栅长为15nm的CMOS器件。
中国科学院微电子研究所长期以来坚持硅集成技术的自主研发创新，在承担国家“973”等重大研究任务中，不断在器件微型化发展方面取得重要的突破进展：继2000年初研制成功70nm
CMOS器件并通过院级鉴定后，于2002年研制成功栅长为42nm CMOS器件，2003年初研制成功栅长为27
nm CMOS器件，并研制成功栅长36nm CMOS 32分频器电路，其中分别嵌入了57级/201级环形振荡器。
这些结果充分表明研制成功的 27 nm CMOS器件极好地抑制了短沟道效应(SCE)和DIBL效应，有高的Ion
/ Ioff比，达到了国际上21世纪初的水平。这标志着我国的芯片微型化研究又迈上了一个新台阶。
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